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HSE11

更新时间： 2024-01-27 09:02:59

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HSE11 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.33
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.4 pF	二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	S BAND TO KA BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HSE11 数据手册

AED-208-162A(Z)

HSE11

GaAs Schottky Barrier Diode for

SHF Mixer

Rev. 1

Sep. 1994

Features

Outline

• Low noise GaAs schottky.

• Low capacitance. (C =0.4pF max)

Cathode mark

Ordering Information

1. Cathode

2. Anode

Type No.

Mark

Package Code

HSE11

Cathode mark

ERP

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Reverse voltage

V_R

I _F

4.0

Forward current

°C

Peak forward current

Junction temperature

Lead temperature

Storage temperature

I_FM

150

125

230

T *

-55 to +125

stg

* Value at the nearest point from body for 10sec max. (one time)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

—

Typ

—

Max

1.0

—

Unit

Test Condition

I _F= 50 mA

Forward voltage

Reverse voltage

Capacitance

V_F

V_R

4.0

—

I _R= 10 µA

—

0.4

V_R= 0 V, f = 1 MHz

rs=50V_F3-150.75V_F2+100.75V_F1

V_F1: I_F=1.0mA , V_F2: I_F=2.7mA

Series resistance

—

1.3

—

Ω

V_F3: I_F=20mA

ESD capability

—

* C= 25pF

* Failure criterion ; I _R≥ 1µA at V_R= 2V

12 3

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