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HSC226

更新时间: 2024-01-31 11:09:21
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode

HSC226 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-79
包装说明:ULTRA SMALL, SC-79, UFP-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.48
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.33 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流:0.2 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.05 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:25 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HSC226 数据手册

  
SMD Type  
Diodes  
Silicon Schottky Barrier Diode  
HSC226  
SOD-523  
Unit: mm  
+0.1  
1.2  
-0.1  
+0.1  
0.6  
-0.1  
Features  
+
-
Low reverse current, Low capacitance.  
Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design.  
+0.1  
1.6  
-0.1  
0.77max  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-Repetitive peak forward surge current  
Forward current  
Symbol  
VRRM  
IFSM*  
IF  
Value  
25  
Unit  
V
200  
mA  
mA  
50  
Junction temperature  
Tj  
125  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to +125  
Note  
10ms Sinewave 1pulse  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Conditions  
IF = 1 mA  
IF = 5 mA  
VR = 20 V  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
0.33  
0.38  
0.45  
2.80  
VF  
Reverse current  
Capacitance  
IR  
C
A
VR =1 V, f = 1 MHz  
pF  
Marking  
Marking  
S4  
1
www.kexin.com.cn  

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