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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | DFP, FL36(UNSPEC) | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 65 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDFP-F36 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 36 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | FL36(UNSPEC) | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 最小待机电流： | 10 V | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总剂量： | 10M Rad(Si) V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HS6464XSJZC | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| HS6464XSJZT | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| HS649A | HUASHAN |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| HS64V128220GU-7-A | ETC |
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?1GB PC133 (2-2-2) 2-bank available Q402? |
|
| HS650 | ETC |
获取价格 |
HS650替代FD650 |
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| HS65021-7F | FOXCONN |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, Plug, ROH |
|
| HS65023-7F | FOXCONN |
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Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, Plug, ROH |
|
| HS65023-9F | FOXCONN |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, Plug, ROH |
|
| HS65027-7F | FOXCONN |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, Plug, ROH |
|
| HS65027-9F | FOXCONN |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, Plug, ROH |
|
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