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HS1M PDF预览

HS1M

更新时间： 2024-11-18 04:22:15
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 187K
描述
High Efficient Surface Mount Rectifiers Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0 Ampere

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HS1M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.18Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUALBase Number Matches：1

HS1M 数据手册

 浏览型号HS1M的Datasheet PDF文件第2页 
HS1A thru HS1M  
High Efficient Surface Mount Rectifiers  
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0 Ampere  
Features  
‹ Glass passivated junction chip.  
‹ For surface mounted application  
‹ Low forward voltage drop  
‹ Low profile package  
‹ Built-in stain relief, ideal for automatic placement  
‹ Fast switching for high efficiency  
‹ High temperature soldering:  
250oC/10 seconds at terminals  
‹ Plastic material used carries Underwriters Laboratory  
Classification 94V-O  
Mechanical Data  
‹ Cases: Molded plastic  
‹ Terminals: Solder plated  
‹ Polarity: Indicated by cathode band  
‹ Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Parameter  
Symbols  
HS1A  
HS1B  
HS1D  
HS1F  
HS1G  
HS1J  
HS1K  
HS1M  
Units  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current  
See Fig.2  
I
1.0  
Amp  
(AV)  
Peak forward surge current, 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
30.0  
Amps  
Volts  
Maximum instantaneous forward voltage @ 1.0A  
VF  
IR  
1.0  
1.3  
1.7  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@ TA=25oC  
5.0  
100  
uA  
uA  
@ TA=100oC  
nS  
pF  
oC  
oC  
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Typical junction capacitance (Note 2)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
trr  
CJ  
50  
20  
75  
15  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Notes:  
1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.  
161  
12

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HS1M 替代型号

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GR1M GOOD-ARK

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