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HS12135RE3

更新时间: 2024-02-12 00:55:57
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, 35V V(RRM), Silicon,

HS12135RE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-XUFM-X1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X1最大非重复峰值正向电流:2000 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:120 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:35 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

HS12135RE3 数据手册

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