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HS1-303RH

更新时间： 2024-01-11 07:27:41
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英特矽尔 - INTERSIL 开关
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16页 107K
描述
Radiation Hardened CMOS Analog Switches

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HS1-303RH 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP14,.3
针数：14Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.91
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
JESD-30 代码：R-CDIP-T14JESD-609代码：e0
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V信道数量：1
功能数量：2端子数量：14
标称断态隔离度：40 dB最大通态电阻 (Ron)：75 Ω
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535 Class T
座面最大高度：5.08 mm子类别：Multiplexer or Switches
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
最长断开时间：450 ns最长接通时间：500 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
总剂量：100k Rad(Si) V宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

HS1-303RH 数据手册

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Specifications HS-3XXRH/883S  
Absolute Maximum Ratings  
Reliability Information  
Supply Voltage Between V+ and V- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +44V Thermal Resistance  
θ
θ
JA  
JC  
o
o
+VSUPPLY to Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +22V  
-VSUPPLY to Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-22V  
Analog Input Overvoltages:  
14 Lead SBDIP Package. . . . . . . . . . . . .  
14 Lead Ceramic Flatpack Package . . . . 105 C/W 17 C/W  
16 Lead SBDIP Package. . . . . . . . . . . . .  
70 C/W  
19 C/W  
o
o
o
o
70 C/W  
19 C/W  
o
o
+VS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +VSUPPLY +1.5V  
-VS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-VSUPPLY - 1.5V  
Digital Input Overvoltage:  
+VA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+VSUPPLY +4V  
-VA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-VSUPPLY -4V  
Peak Current, S or D Pulsed at 1ms, 10% Duty Cycle Max . . .40mA  
16 Lead Ceramic Flatpack Package . . . . 105 C/W 17 C/W  
Maximum Package Power Dissipation at +125 C Ambient  
14 Lead SBDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.71W  
14 Lead Ceramic Flatpack Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.48W  
16 Lead SBDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.71W  
16 Lead Ceramic Flatpack Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0.48  
o
Continuous Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10mA If device power exceeds package dissipation capability, provide heat  
o
o
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 C to +150 C  
sinking or derate linearly at the following rate:  
14 Lead SBDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.3mW/ C  
14 Lead Ceramic Flatpack Package . . . . . . . . . . . . . . . 9.5mW/ C  
16 Lead SBDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.3mW/ C  
o
o
Junction Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175 C  
Lead Temperature (soldering 10s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ +300 C  
o
o
o
o
16 Lead Ceramic Flatpack Package . . . . . . . . . . . . . . . 9.5mW/ C  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation  
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Operating Conditions  
o
o
Operating Supply Voltage (± VSupply) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . .-55 C to +125 C  
TABLE 1. HS-302RH/303RH/384RH/390RH/883S DC ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
Device Guaranteed and 100% Tested. Unless Otherwise Specified: V- = -15V, V+ = +15V, VAH = +4.0V, VAL = 0.8V  
GROUP A  
SUB-  
GROUPS  
LIMITS  
MIN  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
TEMPERATURE  
MAX  
50  
75  
50  
75  
2
UNITS  
Ω
o
“Switch On” Resistance  
+RDS  
VD = 10V, IS = -10mA,  
S1/S2/S3/S4  
1
2, 3  
1
+25 C  
-
-
o
o
-55 C to +125 C  
Ω
o
-RDS  
+IS(OFF)  
-IS(OFF)  
+ID(OFF)  
-ID(OFF)  
+ID(ON)  
-ID(ON)  
IAL  
VD = -10V, IS = 10mA,  
S1/S2/S3/S4  
+25 C  
-
Ω
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-
Ω
o
Leakage Current Into  
the Source Terminal of  
an “Off” Switch  
VS = +14V, VD = -14V,  
S1/S2/S3/S4  
+25 C  
-2  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
µA  
µA  
µA  
µA  
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-100  
-2  
100  
2
o
VS = -14V, VD = +14V,  
S1/S2/S3/S4  
+25 C  
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-100  
-2  
100  
2
o
Leakage Current into  
the Drain Terminal of an  
“Off” Switch  
VS = -14V, VD = +14V,  
S1/S2/S3/S4  
+25 C  
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-100  
-2  
100  
2
o
VS = +14V, VD = -14V,  
S1/S2/S3/S4  
+25 C  
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-100  
-2  
100  
2
o
Leakage Current from  
an “On” Driver Into the  
Switch (Drain & Source)  
VS = VD = +14V,  
S1/S2/S3/S4  
+25 C  
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-100  
-2  
100  
2
o
VS = VD = -14V,  
S1/S2/S3/S4  
+25 C  
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-100  
-1  
100  
1
o
Low Level Input  
Address Current  
All Channels VA = 0.8V  
All Channels VA = 4.0V  
+25 C  
o
o
2, 3  
1
-55 C to +125 C  
-1  
1
o
High Level Input  
Address Current  
IAH  
+25 C  
-1  
1
o
o
2, 3  
-55 C to +125 C  
-1  
1
Spec Number 518526  
4
1234567...16

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