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HRTS-5760-B-U-1-12

更新时间： 2024-01-20 11:44:51

品牌	Logo	应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL		传感器换能器
页数	文件大小	规格书
3页	329K
描述
RTD Platinum Sensor, 1000ohm, Rectangular, Through Hole Mount, RADIAL LEADED

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HRTS-5760-B-U-1-12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	主体宽度：	4.8 mm
主体长度或直径：	8 mm	外壳：	CERAMIC
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最大工作电流：	2 mA
最高工作温度：	480 °C	最低工作温度：	-200 °C
输出接口类型：	2-WIRE INTERFACE	封装形状/形式：	RECTANGULAR
标称 R0：	1000 Ω	传感器/换能器类型：	TEMPERATURE SENSOR,RTD,PLATINUM
表面贴装：	NO	端子面层：	NICKEL
端接类型：	SOLDER	Base Number Matches：	1

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Honeywell Inc.

11 West Spring Street

Freeport, Illinois 61032

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HRU	GAMEWELL-FCI	获取价格	High Current Relay Unit
HRU0103A	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
HRU0103A	HITACHI	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
HRU0103A-E	RENESAS	获取价格	0.1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, URP-2
HRU0103ATRF	HITACHI	获取价格	0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE
HRU0103ATRF-E	HITACHI	获取价格	0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE
HRU0103ATRU	HITACHI	获取价格	0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE
HRU0103ATRV	HITACHI	获取价格	0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE
HRU0103C	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
HRU0103C_08	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying