5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.52 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HRB0103ATR | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, Silicon |
|
| HRB0103ATR | RENESAS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, Silicon |
|
| HRB0103B | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Low Voltage High Speed Switching , Rectifying |
|
| HRB0103B | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Low Voltage High Speed Switching , Rectifying |
|
| HRB0103BTL | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HRB0103BTL | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, Silicon |
|
| HRB0103BTR | RENESAS |
获取价格 |
0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HRB0103BTR | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, Silicon |
|
| HRB0103BTR-E | RENESAS |
获取价格 |
0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HRB0502A | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
