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HR1A4M-T2

更新时间: 2024-11-21 14:28:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 1029K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN

HR1A4M-T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:2 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

HR1A4M-T2 数据手册

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