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HNT640 PDF预览

HNT640

更新时间： 2024-11-14 20:50:51
品牌 Logo 应用领域
HUTSON 局域网栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
2页 186K
描述
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 40A I(T)RMS, TO-218,

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HNT640 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.86外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
最大维持电流：100 mAJEDEC-95代码：TO-218
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：40 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

HNT640 数据手册

 浏览型号HNT640的Datasheet PDF文件第2页 
MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL  
VDRM  
DEVICE NUMBERS  
UNITS  
ISOLATED  
200  
400  
600  
HIT216  
HIT416  
HIT616  
HIT225  
HIT425  
HIT625  
HIT240  
HIT440  
HIT640  
Repetitive Peak Off-State Voltage (1)  
VDRM  
VOLT  
Gate Open, and T J = 110° C  
NONISOLATED  
200  
400  
600  
HNT216  
HNT416  
HNT616  
HNT225  
HNT425  
HNT625  
HNT240  
HNT440  
HNT640  
RMS On-State Current at Tc = 80 ° C and  
Conduction Angle of 360°  
It(RMS)  
ITSM  
16.0  
160  
25.0  
250  
40.0  
400  
AMP  
AMP  
Peak Surge (Non-Repetitive) On-State  
Current, One-Cycle, at 50Hz or 60 Hz  
Peak Gate-Trigger Current for 3µsec. Max.  
Peak Gate-Power Dissipation at IGT < IGTM  
Average Gate-Power Dissipation  
IGTM  
PGM  
4
40  
0.8  
4
40  
0.8  
4
40  
0.8  
AMP  
WATT  
WATT  
PG(AV)  
Storage Temperature Range  
Operating Temperature Range, Tj  
Tstg  
Toper  
-40 to +150  
-40 to +110  
°C  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
At Specified Case Temperatures  
Peak Off-State Current, (1) Gate Open  
TC = 110° C VDRM = Max. Rating  
Maximum On-State Voltage, (1) at Tc=25°C  
and IT = Rated Amps  
mA  
MAX.  
VOLT  
MAX  
mA  
IDRM  
VTM  
IHO  
0.5  
1.8  
0.5  
1.8  
0.5  
1.8  
DC Holding Current, (1) Gate Open and TC = 25°C  
100  
200  
100  
200  
100  
200  
MAX.  
Critical Rate-Of-Rise of Off-State Voltage, (1)  
for VD = VDRM Gate Open, TC = 110°C  
Critical  
dv/dt  
Commutating  
dv/dt  
V/µsec.  
V/µsec.  
Critical Rate-Of-Rise Of Communication Voltage, (1) at TC =  
80° C, Gate Unenergized, VD = VDRM, IT = IT (RMS)  
5
5
5
DC Gate - Trigger Current for VD = 12VDC,  
RL = 60 OHM and at TC = 25° C  
(T2 + GATE + T2 - GATE-) Quads 1 & 3  
(T2 + GATE - T2 - GATE +) Quads 2 & 4  
100 I, II,III  
150 IV  
100 I, II,III  
150 IV  
100 I, II,III  
150 IV  
mA  
MAX.  
IGTM  
VGT  
Tgt  
DC Gate-Trigger Voltage for VD = 12VDC,  
RL = 30 OHM and at TC = 25°C  
VOLT  
MAX  
2.5  
3
2.5  
3
2.5  
3
Gate-Controlled Turn-on Time for  
VD=VDRM, IGT = 200mA  
tR =0.1 µsec.,  
µsec.  
IT = 10A (Peak) and TC = 25°C  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
ISOLATED  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
NONISOLATED  
°C/WATT  
TYP  
°C/WATT  
TYP  
1.4  
1.1  
0.95  
RqJ-C  
RqJ-C  
(1.2)  
(1.0)  
(0.91)  
Notes:  
(1) All Values Apply in either direction  
*All Hutson Isolated TO-218 devices are  
UL recognized. UL Number E95589 (N)  
SOLID STATE CONTROL DEVICES  
20  
12

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