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HN624316FBN-12

更新时间: 2024-11-14 20:25:39
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瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
2MX8 MASK PROM, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44

HN624316FBN-12 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.36
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
备用内存宽度:16JESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:28.5 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.22 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:12.6 mmBase Number Matches:1

HN624316FBN-12 数据手册

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