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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> HN4G01J
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HN4G01J

更新时间： 2024-09-27 03:42:23
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 491K
描述
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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HN4G01J 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

HN4G01J 数据手册

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HN4G01J  
TOSHIBA Multi Chip Discrece Device  
HN4G01J  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
Q1  
z
Small package (Dual type)  
z
High voltage and high current  
: VCEO = 50V, IC = 150mA (max)  
z
z
High hFE : hFE = 120~400  
Excellent hFE linearity  
: hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.)  
Q2  
z
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more  
compact equipment and save assembly cost.  
1.BASE1  
2.EMITTER  
3.BASE2  
(B1)  
(E)  
(B2)  
Q1 : 2SC4837F  
Q2 : RN1103F  
4.COLLECTOR2 (C2)  
5.COLLECTOR1 (C1)  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
60  
50  
5
V
V
TOSHIBA  
2-3L1A  
CBO  
Weight: 0.014g(Typ.)  
V
V
CEO  
V
EBO  
I
150  
30  
mA  
mA  
C
Base current  
I
B
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Rating  
50  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
V
10  
V
I
100  
mA  
C
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1,Q2Common)  
Characteristic  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Symbol  
P *  
Rating  
300  
Unit  
mW  
°C  
C
T
j
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*Total rating.  
1
2007-11-01  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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