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HN4K03JU

更新时间: 2024-09-27 22:16:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 189K
描述
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS)

HN4K03JU 技术参数

生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数:5Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.36Is Samacsys:N
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):0.1 A最大漏源导通电阻:12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G5
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

HN4K03JU 数据手册

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