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HMT312U6BFR6C-H9

更新时间: 2024-11-19 08:58:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
59页 695K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HMT312U6BFR6C-H9 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.255 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):667 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240JESD-609代码:e1
长度:133.35 mm内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:240字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:128MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.048 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.68 mA最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:NO LEAD端子节距:1 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:30 mmBase Number Matches:1

HMT312U6BFR6C-H9 数据手册

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240pin DDR3 SDRAM Unbeffered DIMM  
DDR3 SDRAM  
Unbuffered DIMMs  
Based on 2Gb B-Die  
HMT312U6BFR6C  
HMT325U6BFR8C  
HMT325U7BFR8C  
HMT351U6BFR8C  
HMT351U7BFR8C  
* Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 1.0 / Oct. 2010  
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DDR DRAM Module, 1GX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, RDIMM-240