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HMF4M32M8G-120

更新时间： 2024-11-23 03:42:15
品牌 Logo 应用领域
HANBIT /
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11页 416K
描述
FLASH-ROM MODULE 16MByte (4M x 32Bit), 72-Pin SIMM, 5V

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HMF4M32M8G-120 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
Base Number Matches：1

HMF4M32M8G-120 数据手册

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HANBit  
HMF4M32M8G  
FLASH-ROM MODULE 16MByte (4M x 32Bit), 72-Pin SIMM, 5V  
Part No. HMF4M32M8G  
GENERAL DESCRIPTION  
The HMF4M32M8G is a high-speed flash read only memory (FROM) module containing 8,388,608 words organized in a  
x32bit configuration. The module consists of eight 2M x 8bit FROM mounted on a 72 -pin, double-sided, FR4-printed circuit  
board. Commands are written to the command register using standard microprocessor write timings.  
Register contents serve as input to an internal state-machine, which controls the erase and programming circuitry. Write  
cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the  
device is similar to reading from 12.0V flash or EPROM devices.  
Eight chip enable inputs, (/CE_UU1, /CE_UM1, /CE_LM1, /CE_LL1, /CE_UU2, /CE_UM2, /CE_LM2, CE_LL2) are use d to  
enable the module’s 4 bytes independently. Outputs enable (/OE) and write enable (/WE) can set the memory input and  
output.When FROM module is disable condition the module is becoming power standby mode, system designer can get low -  
power design. All module components may be powered from a single +5V DC power supply and all inputs and outputs are  
TTL-compatible.  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
w Part Identifications  
PIN SYMBOL PIN  
SYMBOL  
A20  
PIN SYMBOL  
HMF4M32M8G : 16Mbyte, 72-pin SIMM, Gold  
HMF4M32M8 : 16Mbyte, 72-pin SIMM, Solder  
wAccess time : 75, 90 and 120ns  
w High-density 16MByte design  
1
2
Vss  
A3  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
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43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
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57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
DQ17  
DQ18  
DQ22  
DQ21  
DQ20  
DQ19  
A19  
DQ8  
3
A2  
DQ9  
4
A1  
DQ10  
/CE-LM2  
Vcc  
w High-reliability, low-power design  
w Single + 5V ± 0.5V power supply  
w Easy memory expansion  
5
A0  
6
Vcc  
7
A11  
/CE-LM1  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
DQ11  
A18  
8
/OE  
A15  
w All inputs and outputs are TTL-compatible  
w FR4-PCB design  
9
A10  
A12  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
/RESET  
/CE-LL2  
/CE-LL1  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
/WE  
A17  
A7  
Vcc  
w Low profile 72-pin SIMM  
A8  
w Minimum 1,000,000 write/erase cycle  
w Sectors erase architecture  
A9  
A16  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
/CE-UU2  
/CE-UU1  
DQ31  
DQ30  
DQ29  
DQ28  
DQ27  
Vss  
w Sector group protection  
Vss  
A6  
w Temporary sector group unprotection  
w The used device is Am29F016B or MBM29F016-90PFTN  
/RY_BY  
A5  
A4  
OPTIONS  
w Timing  
MARKING  
Vcc  
/CE-UM2  
/CE-UM1  
DQ23  
DQ16  
75ns access  
90ns access  
120ns access  
w Packages  
72-pin SIMM  
-75  
-90  
A14  
A13  
-120  
72-PIN SIMM  
TOP VIEW  
M
1
URL: www.hbe.co.kr  
REV.02(August,2002)  
HANBit Electronics Co., Ltd.  
1234567...11

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