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HMC755LP4E

更新时间： 2024-02-18 07:21:27
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 射频微波
页数 文件大小 规格书
8页 938K
描述
1 Watt Power Amplifier SMT, 2.3 - 2.8 GHz

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HMC755LP4E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：LCC24,.16SQ,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：SMA特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：28 dB
最大输入功率 (CW)：5 dBmJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：24最大工作频率：2800 MHz
最小工作频率：2300 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：LCC24,.16SQ,20电源：5 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：600 mA表面贴装：YES
技术：GAAS端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HMC755LP4E 数据手册

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HMC755LP4E  
v05.0312  
GaAs MMIC 1 WATT  
POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz  
Evaluation PCB  
List of Materials for on PCB 123643 [1]  
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U1  
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J3, J4  
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1.5 ꢉf Caꢉacꢁtꢆꢅ Uꢄtꢅa lꢆꢇ esD, 0603 pkg.  
1000 ꢉf Caꢉacꢁtꢆꢅ, 0603 pkg.  
2.2 µf Caꢉacꢁtꢆꢅ, Taꢃtaꢄuꢈ  
4.7 µf Caꢉacꢁtꢆꢅ, Taꢃtaꢄuꢈ  
10000 ꢉf Caꢉacꢁtꢆꢅ, 0402 pkg.  
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200 ohꢈ rꢀꢂꢁꢂtꢆꢅ, 0402 pkg.  
300 ohꢈ rꢀꢂꢁꢂtꢆꢅ, 0402 pkg.  
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C13 - C15  
C16  
C17  
C18 - C12  
l1  
r1  
r2  
r3  
r4  
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7
Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D  
Trademarks and registered trademarks arethe propertyof theirrespectiveowners.
1...45678

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