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HMC637BPM5ETR

更新时间： 2024-01-04 22:55:20

品牌	Logo	应用领域
亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
21页	630K
描述
HMC637BPM5ETR

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HMC637BPM5ETR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LCC32,.2SQ,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	12.5 dB
最大输入功率 (CW)：	25 dBm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最大工作频率：	7500 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20	电源：	12 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	7
Base Number Matches：	1

HMC637BPM5ETR 数据手册

Data Sheet

HMC637BPM5E

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTIC

S11

S21

S22

–5

–10

–15

–20

–25

–55°C

+25°C

+85°C

FREQUENCY (GHz)

Figure 9. Gain and Return Loss Response vs. Frequency, Self Biased Mode,

_DD= 12 V, V_GG1 = GND, V_GG2 = Open

Figure 12. Gain vs. Frequency for Various Temperatures, Self Biased Mode,

_DD= 12 V, V_GG1 = GND, V_GG2 = Open

345mA (SELF BIASED)

250mA

300mA

10V

11V

12V

13V

350mA

400mA

450mA

FREQUENCY (GHz)

Figure 13. Gain vs. Frequency for Various Supply Currents (I_DD), Externally

Figure 10. Gain vs. Frequency for Various Supply Voltages (V_DD), Self Biased

Mode, V_GG1 = GND, V_GG2 = Open

Biased Mode, V_DD= 12 V, V_GG2 = Open, Controlled V_GG

–55°C

+25°C

+85°C

5V (SELF BIASED)

–5

–10

–15

–20

FREQUENCY (GHz)

Figure 11. Gain vs. Frequency for Various V_GG2 Values, V_DD= 12 V, V_GG1 = GND

Figure 14. Input Return Loss vs. Frequency for Various Temperatures,

Self Biased Mode, V_DD= 12 V, V_GG1 = GND, V_GG2 = Open

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与HMC637BPM5ETR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC637LP5	HITTITE	获取价格	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
HMC637LP5E	HITTITE	获取价格	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
HMC637LP5ETR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC6380	ADI	获取价格	宽带 MMIC VCO，带有缓冲放大器 8.0 - 16.0 GHz
HMC639	ADI	获取价格	高IP3、低噪声放大器，0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89	ADI	获取价格	200MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN
HMC639ST89E	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 200MHz Min, 4000MHz Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-89, 3
HMC639ST89E	ADI	获取价格	High IP3, Low Noise Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89ETR	ADI	获取价格	High IP3, Low Noise Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89TR	ADI	获取价格	200MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, PLASTIC, SOT-89, SMT, 3 PIN