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HMC637BPM5ETR

更新时间： 2024-02-13 07:35:31

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亚德诺 - ADI		射频微波
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21页	630K
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HMC637BPM5ETR

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HMC637BPM5ETR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LCC32,.2SQ,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	12.5 dB
最大输入功率 (CW)：	25 dBm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最大工作频率：	7500 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20	电源：	12 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	7
Base Number Matches：	1

HMC637BPM5ETR 数据手册

HMC637BPM5E

Data Sheet

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

THERMAL RESISTANCE

Table 2.

Thermal performance is directly linked to printed circuit board

(PCB) design and operating environment. Careful attention to

PCB thermal design is required.

Parameter¹

Rating

Drain Bias Voltage (V_DD)

Gate 1 Voltage (V_GG1)

Gate 2 Voltage (V_GG2)

14 V

−2 V to +1 V

3.5 V to 7 V

_JCis the junction to case thermal resistance.

Radio Frequency (RF) Input Power (RFIN) 25 dBm

Table 3. Thermal Resistance

Package

CG-32-2¹

Continuous Power Dissipation (P_DISS),

T = 85°C (Derate 63.29 mW/°C

Above 85°C)

5.7 W

θ_JC

Unit

15.8

°C/W

Output Load Voltage Standing Wave

Ratio (VSWR)

7:1

¹Thermal impedance simulated values are based on a JEDEC 2S2P thermal

test board with 36 thermal vias. See JEDEC JESD51.

Storage Temperature Range

Operating Temperature Range

Maximum Peak Reflow Temperature

ESD Sensitivity

−65°C to +150°C

−55°C to +85°C

260°C

ESD CAUTION

Human Body Model (HBM)

Class 1C

175°C

Junction Temperature to Maintain

1 Million Hour Mean Time to Failure

(MTTF)

Nominal Junction Temperature

(T = 85°C, V_DD= 12 V)

148.52°C

¹When referring to a single function of a multifunction pin in the parameters,

only the portion of the pin name that is relevant to the specification is listed.

For full pin names of the multifunction pins, refer to the Pin Configuration

and Function Descriptions section.

Stresses at or above those listed under Absolute Maximum

Ratings may cause permanent damage to the product. This is a

stress rating only; functional operation of the product at these

or any other conditions above those indicated in the operational

section of this specification is not implied. Operation beyond

the maximum operating conditions for extended periods may

affect product reliability.

Rev. 0 | Page 4 of 21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC637LP5	HITTITE	获取价格	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
HMC637LP5E	HITTITE	获取价格	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
HMC637LP5ETR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC6380	ADI	获取价格	宽带 MMIC VCO，带有缓冲放大器 8.0 - 16.0 GHz
HMC639	ADI	获取价格	高IP3、低噪声放大器，0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89	ADI	获取价格	200MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN
HMC639ST89E	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 200MHz Min, 4000MHz Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-89, 3
HMC639ST89E	ADI	获取价格	High IP3, Low Noise Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89ETR	ADI	获取价格	High IP3, Low Noise Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89TR	ADI	获取价格	200MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, PLASTIC, SOT-89, SMT, 3 PIN

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