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HMC616LP3

更新时间： 2024-01-12 18:47:08
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
10页 351K
描述
GaAs SMT PHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 175 - 660 MHz

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HMC616LP3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LCC16,.12SQ,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.87安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：16
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC16,.12SQ,20
电源：3/5 V射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：115 mA
表面贴装：YES技术：GAAS
Base Number Matches：1

HMC616LP3 数据手册

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HMC616LP3 / 616LP3E  
v00.0508  
GaAs SMT PHEMT LOW NOISE  
AMPLIFIER, 175 - 660 MHz  
5
Pin Descriptions  
Pin Number  
Function  
Description  
Interface Schematic  
1, 3 - 5, 7, 9,  
10, 12 - 14, 16  
No connection required. These pins may be connected to RF/  
DC ground without affecting performance.  
N/C  
This pin is DC coupled. DC blocking capacitor required. See  
application circuit.  
2
6
RFIN  
This pin and ground paddle must  
be connected to RF/DC ground.  
GND  
11  
8
RFOUT  
This pin is matched to 50 Ohms.  
This pin is used to set the DC current of the amplifier by  
selection of external bias resistor. See application circuit.  
RES  
Vdd  
Power Supply Voltage. Choke inductor and bypass capacitors  
are required. See application circuit.  
15  
Application Circuit  
Components for Selected Frequencies  
Tuned Frequency  
175 - 230 MHz  
2.0k Ohms  
82 nH  
230 - 660 MHz  
3.92k Ohms  
18 nH  
Rbias  
L1  
L2  
82 nH  
51 nH  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 244  
1...678910

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