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HMC608LC4RTR

更新时间： 2024-01-15 03:43:16

品牌	Logo	应用领域
亚德诺 - ADI		放大器
页数	文件大小	规格书
6页	257K
描述
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,24PIN,CERAMIC

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HMC608LC4RTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	24	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC
封装等效代码：	LCC24,.16SQ,20	电源：	5 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	350 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

HMC608LC4RTR 数据手册

HMC608LC4

v01.0707

GaAs PHEMT MEDIUM

POWER AMPLIFIER, 9.5 - 11.5 GHz

Low Gain Mode,

Broadband Gain & Return Loss

Low Gain Mode, Gain vs. Temperature

S21

S11

S22

-5

-15

-25

-35

+25C

+85C

-40C

9.5

10.5

11.5

FREQUENCY (GHz)

Low Gain Mode,

Input Return Loss vs. Temperature

Output Return Loss vs. Temperature

-4

-8

-5

+25C

+85C

-40C

-10

-15

-20

-25

-30

-12

+25C

+85C

-40C

-16

-20

-24

9.5

10.5

11.5

9.5

10.5

11.5

FREQUENCY (GHz)

Typical Supply Current vs. Vdd

Absolute Maximum Ratings

Drain Bias Voltage (Vdd1, Vdd2, Vdd3)

7 Vdc

Vdd (Vdc)

Idd (mA)

Gate Bias Voltage (Vgg)

-4.0 to -1.0 Vdc

+10 dBm

+4.5

300

RF Input Power (RFIN)(Vdd = +5Vdc)

Channel Temperature

+5.0

310

175 °C

+5.5

325

Continuous Pdiss (T= 85 °C)

(derate 22.18 mW/°C above 85 °C)

Note: Ampliﬁer will operate over full voltage ranges shown

above. Vgg adjusted to achieve Idd= 310 mA at +5V.

2 W

Thermal Resistance

(channel to ground paddle)

45 °C/W

Storage Temperature

Operating Temperature

-65 to +150 °C

-40 to +85 °C

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

11 - 317

1 2 345 6

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