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HMC585MS8G

更新时间: 2024-02-17 05:47:41
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HITTITE 射频和微波射频混频器微波混频器放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 297K
描述
HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz

HMC585MS8G 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP8,.19
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
最大变频损耗:11 dB最大输入功率 (CW):27 dBm
JESD-609代码:e3安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:8最大工作频率:750 MHz
最小工作频率:300 MHz最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:TSSOP8,.19电源:5 V
射频/微波设备类型:SINGLE BALANCED子类别:RF/Microwave Mixers
表面贴装:YES技术:GAAS
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

HMC585MS8G 数据手册

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HMC585MS8G / 585MS8GE  
v00.0806  
HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with  
INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz  
MxN Spurious Outputs  
Harmonics of LO  
nLO  
nLO Spur at RF Port  
mRF  
0
xx  
5
1
-4  
0
2
3
4
8
LO Freq GHz  
1
17  
10  
6
2
3
4
0
1
2
3
4
26  
27  
50  
22  
-1  
-1  
0.3  
36  
40  
32  
34  
28  
26  
31  
20  
18  
23  
34  
48  
39  
33  
31  
33  
41  
xx  
22  
50  
27  
26  
24  
63  
0
0.4  
61  
20  
7
63  
24  
8
0.5  
0.6  
6
-4  
0.7  
0.8  
6
8
6
RF Freq = 0.5 GHz @ -10 dBm  
LO Freq = 0.4 GHz @ 0 dBm  
All values in dBc below IF power level (RF - LO).  
LO power = 0 dBm  
All values in dBc below input LO level measured at RF port.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
8 - 504  

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