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HMC585MS8G

更新时间: 2024-02-27 05:40:05
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HITTITE 射频和微波射频混频器微波混频器放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 297K
描述
HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz

HMC585MS8G 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP8,.19
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
最大变频损耗:11 dB最大输入功率 (CW):27 dBm
JESD-609代码:e3安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:8最大工作频率:750 MHz
最小工作频率:300 MHz最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:TSSOP8,.19电源:5 V
射频/微波设备类型:SINGLE BALANCED子类别:RF/Microwave Mixers
表面贴装:YES技术:GAAS
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

HMC585MS8G 数据手册

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HMC585MS8G / 585MS8GE  
v00.0806  
HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with  
INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz  
Conversion Gain vs.  
Temperature @ LO = 0 dBm  
Isolation @ LO = 0 dBm  
0
10  
0
-10  
-20  
-5  
-10  
+25C  
+85C  
-40C  
-30  
-15  
-20  
-25  
RF TO IF  
LO TO RF  
LO TO IF  
8
-40  
-50  
-60  
0.37  
0.42  
0.47  
0.52  
0.57  
0.62  
0.67  
0.67  
0.67  
0.37  
0.42  
0.47  
0.52  
0.57  
0.62  
0.67  
0.85  
0.25  
RF FREQUENCY (GHz)  
RF FREQUENCY (GHz)  
Return Loss @ LO = 0 dBm  
Conversion Gain vs. LO Drive  
0
0
LO  
RF  
-5  
-5  
-10  
-10  
-15  
-15  
-20  
-25  
-4dBm  
-2dBm  
0dBm  
+2dBm  
+4dBm  
-20  
-25  
0.37  
0.42  
0.47  
0.52  
0.57  
0.62  
0.25  
0.35  
0.45  
0.55  
0.65  
0.75  
RF FREQUENCY (GHz)  
FREQUENCY (GHz)  
Upconverter Performance  
Conversion Gain @ LO = 0 dBm  
IF Bandwidth @ LO = 0 dBm  
0
0
-5  
-10  
-15  
-20  
-25  
RETURN LOSS  
-5  
CONVERSION GAIN  
-10  
-15  
-20  
0.37  
0.42  
0.47  
0.52  
0.57  
0.62  
0
0.05  
0.1  
0.15  
0.2  
RF FREQUENCY (GHz)  
IF FREQUENCY (GHz)  
Unless otherwise noted, all measurements performed as a downconverter, with high side LO & IF = 50 MHz.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
8 - 501  

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