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HMC585MS8G

更新时间： 2024-02-06 20:06:26

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HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz

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HMC585MS8G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP8,.19
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大变频损耗：	11 dB	最大输入功率 (CW)：	27 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	8	最大工作频率：	750 MHz
最小工作频率：	300 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP8,.19	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	SINGLE BALANCED	子类别：	RF/Microwave Mixers
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

HMC585MS8G 数据手册

HMC585MS8G / 585MS8GE

v00.0806

HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with

INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz

Input IP3 vs. LO Drive, IF= 100 MHz

Input IP3 vs. LO Drive, IF= 150 MHz

LO = -4dBm

LO = -2dBm

LO = 0dBm

LO = +2dBm

LO = +4dBm

LO = -4dBm

LO = -2dBm

LO = 0dBm

LO = +2dBm

LO = +4dBm

0.37

0.42

0.47

0.52

0.57

0.62

0.67

0.37

0.42

0.47

0.52

0.57

0.62

0.67

RF FREQUENCY (GHz)

Conversion Gain vs.

LO Drive, IF= 200 MHz

Input IP3 vs. LO Drive, IF= 200 MHz

-5

-10

-15

-4dBm

-2dBm

0dBm

LO = -4dBm

LO = -2dBm

LO = 0dBm

+2dBm

+4dBm

-20

-25

LO = +2dBm

LO = +4dBm

0.37

0.42

0.47

0.52

0.57

0.62

0.67

0.37

0.42

0.47

0.52

0.57

0.62

0.67

RF FREQUENCY (GHz)

Unless otherwise noted, all measurements performed as a downconverter, with high side LO & IF = 50 MHz.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

8 - 503

1 2 345 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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