是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | TO-243 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.67 | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 增益: | 13 dB |
最大输入功率 (CW): | 8 dBm | JESD-609代码: | e0 |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最大工作频率: | 4000 MHz |
最小工作频率: | 最高工作温度: | 85 °C | |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | TO-243 | 电源: | 5 V |
射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER | 子类别: | RF/Microwave Amplifiers |
最大压摆率: | 102 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC589ST89_10 | HITTITE |
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InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHz | |
HMC589ST89E | HITTITE |
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InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHz | |
HMC589ST89ETR | HITTITE |
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暂无描述 | |
HMC589ST89TR | HITTITE |
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Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, BIPolar, | |
HMC590 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 10.0 GHz | |
HMC590_09 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 6 - 10 GHz | |
HMC590-Die | ADI |
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1 W功率放大器芯片,6 - 10 GHz | |
HMC590LP5 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz | |
HMC590LP5 | ADI |
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GaAs pHEMT MMIC 1 W功率放大器,6.0 - 9.5 GHz | |
HMC590LP5_09 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz |