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HMC-C019

更新时间： 2024-01-23 00:55:24
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波开关射频开关微波开关分离技术隔离技术
页数 文件大小 规格书
6页 413K
描述
HIGH ISOLATION SPST SWITCH MODULE, DC - 20.0 GHz

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HMC-C019 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：SMA-F
特性阻抗：50 Ω构造：COAXIAL
最大输入功率 (CW)：26.99 dBm最大插入损耗：9 dB
JESD-609代码：e4最大工作频率：20000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-55 °C射频/微波设备类型：SPST
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrierBase Number Matches：1

HMC-C019 数据手册

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HMC-C019  
v00.0306  
HIGH ISOLATION SPST SWITCH  
MODULE, DC - 20.0 GHz  
9
Features  
High Isolation: 100 dB up to 4 GHz  
65 dB up to 20 GHz  
Low Insertion Loss: 3.5 dB @ 10 GHz  
4.0 dB @ 16 GHz  
Fast Switching RF Pulse Modulator  
Non-Reflective Topology  
Typical Applications  
The HMC-C019 is ideal for:  
• Basestation Infrastructure  
• Fiber Optics & Broadband Telecom  
• Microwave Radio & VSAT  
• Military Radios, Radar, & ECM  
• Test Instrumentation  
Hermetically Sealed Module  
Field Replaceable SMA connectors  
-55 to +85 °C Operating Temperature  
General Description  
The HMC-C019 is a high speed, high isolation GaAs  
MESFET SPST switch housed in a miniature hermetic  
module with field replaceable SMA connectors.  
Covering DC to 20 GHz, the switch features 100 dB  
isolation up to 4 GHz and 65 dB isolation up to 20  
GHz. CMOS interface allows a positive +5V bias  
voltage at very low DC currents. This non-reflective  
switch exhibits very fast switching speeds, with very  
low switching transients making it ideal for high speed  
RF pulse modulation applications.  
Functional Diagram  
Electrical Specifications  
TA = +25° C, With VDC1, VDC2 = +5V & 0/+5V Control, 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 4.0 GHz  
DC - 16.0 GHz  
DC - 20.0 GHz  
3.0  
4.0  
6.0  
3.3  
4.5  
8.0  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
Isolation  
DC - 4.0 GHz  
DC - 10.0 GHz  
DC - 16.0 GHz  
DC - 20.0 GHz  
90  
75  
70  
60  
100  
80  
75  
dB  
dB  
dB  
dB  
65  
DC - 12.0 GHz  
DC - 20.0 GHz  
12  
8
dB  
dB  
Return Loss RF1 & RF2  
“On State & Off State”  
Input Power for 1 dB Compression  
0.5 - 20.0 GHz  
20  
23  
dBm  
0.5 - 10.0 GHz  
0.5 - 20.0 GHz  
45  
43  
dBm  
dBm  
Input Third Order Intercept  
(Two-Tone Input Power= +7 dBm Each Tone)  
Switching Characteristics  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
DC - 20 GHz  
DC - 20 GHz  
2.5  
8.5  
ns  
ns  
Switching Transients  
20  
mVpp  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
9 - 106  
123456

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