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HM628512BLP-5SL

更新时间： 2024-02-01 08:17:58

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日立 - HITACHI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	87K
描述
4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

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HM628512BLP-5SL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	41.9 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.00002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

HM628512BLP-5SL 数据手册

HM628512B Series

Function Table

Mode

V_CCcurrent

Dout pin

High-Z

Dout

Ref. cycle

—

Not selected

Output disable

Read

I_SB, I_SB1

I_CC

—

I_CC

Read cycle

Write cycle (1)

Write cycle (2)

Write

I_CC

Din

Write

I_CC

Din

Note: ×: H or L

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_CC

Value

–0.5 to +7.0

–0.5*¹to V_CC+ 0.3*²

Unit

Power supply voltage

Voltage on any pin relative to V_SS

Power dissipation

V_T

P_T

1.0

°C

Operating temperature

Storage temperature

Storage temperature under bias

Topr

Tstg

Tbias

–20 to +70

–55 to +125

–20 to +85

Notes: 1. –3.0 V for pulse half-width ≤ 30 ns

2. Maximum voltage is 7.0 V

Recommended DC Operating Conditions (Ta = –20 to +70°C)

Parameter

Symbol

V_CC

Min

4.5

Typ

5.0

Max

5.5

Unit

Supply voltage

V_SS

Input high voltage

Input low voltage

V_IH

2.2

–0.3^*1

—

V_CC+ 0.3

0.8

V_IL

—

Note: 1. –3.0 V for pulse half-width ≤ 30 ns

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