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HM624100HLJP-10

更新时间： 2024-11-26 22:07:31
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 75K
描述
4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)

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HM624100HLJP-10 数据手册

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HM624100H Series  
4M High Speed SRAM (1-Mword × 4-bit)  
ADE-203-789D (Z)  
Rev. 1.0  
Sep. 15, 1998  
Description  
The HM624100H is a 4-Mbit high speed static RAM organized 1-Mword × 4-bit. It has realized high speed  
access time by employing CMOS process (4-transistor + 2-poly resistor memory cell) and high speed circuit  
designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed and high density  
memory, such as cache and buffer memory in system. The HM624100H is packaged in 400-mil 32-pin SOJ  
for high density surface mounting.  
Features  
•
•
•
Single 5.0 V supply : 5.0 V ± 10 %  
Access time 10/12/15 ns (max)  
Completely static memory  
No clock or timing strobe required  
Equal access and cycle times  
•
•
Directly TTL compatible  
All inputs and outputs  
•
•
•
Operating current : 200/180/160 mA (max)  
TTL standby current : 70/60/50 mA (max)  
CMOS standby ccurrent : 5 mA (max)  
: 1.2 mA (max) (L-version)  
•
•
•
Data retension current : 0.8 mA (max) (L-version)  
Data retension voltage : 2.0 V (min) (L-version)  
Center VCC and VSS type pinout  
1234567...13

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