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HM5164805FLJ-6

更新时间： 2024-10-02 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh

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HM5164805FLJ-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ32,.44
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.105 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HM5164805FLJ-6 数据手册

HM5164805F Series

HM5165805F Series

64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit)

8 k Refresh/4 k Refresh

E0098H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1057C (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5164805F Series, HM5165805F Series are 64M-bit dynamic RAMs organized as 8,388,608-word

× 8-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.

HM5164805F Series, HM5165805F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They have the package variation of standard 32-pin plastic SOJ and standard 32-pin plastic

TSOPII.

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

Access time: 50 ns/60 ns (max)

Power dissipation

Active: 414 mW/378 mW (max) (HM5164805F Series)

: 486 mW/414 mW (max) (HM5165805F Series)

Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)

: 1.1 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

Refresh cycles

RAS-only refresh

8192 cycles/64 ms (HM5164805F, HM5164805FL)

4096 cycles/64 ms (HM5165805F, HM5165805FL)

CBR/Hidden refresh

4096 cycles/64 ms (HM5164805F, HM5164805FL, HM5165805F, HM5165805FL)

This product became EOL in December, 2006.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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