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HM5164805FTT-5

更新时间： 2024-02-22 02:42:00

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器
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34页	220K
描述
64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh

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HM5164805FTT-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.18	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP32,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5164805FTT-5 数据手册

HM5164805F Series

HM5165805F Series

64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit)

8 k Refresh/4 k Refresh

E0098H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1057C (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5164805F Series, HM5165805F Series are 64M-bit dynamic RAMs organized as 8,388,608-word

× 8-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.

HM5164805F Series, HM5165805F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They have the package variation of standard 32-pin plastic SOJ and standard 32-pin plastic

TSOPII.

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

Access time: 50 ns/60 ns (max)

Power dissipation

Active: 414 mW/378 mW (max) (HM5164805F Series)

: 486 mW/414 mW (max) (HM5165805F Series)

Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)

: 1.1 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

Refresh cycles

RAS-only refresh

8192 cycles/64 ms (HM5164805F, HM5164805FL)

4096 cycles/64 ms (HM5165805F, HM5165805FL)

CBR/Hidden refresh

4096 cycles/64 ms (HM5164805F, HM5164805FL, HM5165805F, HM5165805FL)

This product became EOL in December, 2006.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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与HM5164805FTT-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5164805FTT-6	ELPIDA	获取价格	64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit) 8 k Refresh/4
HM5164805FTT-6	HITACHI	获取价格	64 MEDO DRAM (8-Mword X 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh
HM5164805J-5	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HM5164805J-6	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HM5164805LJ-5	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HM5164805LJ-6	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM5164805LTT-5	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HM5164805LTT-6	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM5164805TT-5	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HM5164805TT-6	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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