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HM5-6564-9

更新时间: 2024-11-15 20:02:23
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瑞萨 - RENESAS /
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6页 442K
描述
HM5-6564-9

HM5-6564-9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.91
最长访问时间:400 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T40JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8端子数量:40
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP40,.9
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.056 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM5-6564-9 数据手册

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