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HM2112-1

更新时间: 2024-02-10 02:31:30
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其他 - ETC 静态存储器
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5页 103K
描述
x1 SRAM

HM2112-1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP16,.3针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.86
最长访问时间:8 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-GDIP-T16JESD-609代码:e0
长度:19.304 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
负电源额定电压:-5.2 V功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:1KX1
输出特性:OPEN-EMITTER可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:ECL
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

HM2112-1 数据手册

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