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HM1-65779M-2

更新时间: 2024-11-16 20:33:23
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 403K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28,

HM1-65779M-2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:73728 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM1-65779M-2 数据手册

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