是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 73728 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 9 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM1-65779M2/883 | TEMIC |
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Memory IC, | |
HM1-65779M-5 | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65779M-5+ | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65779M-8 | ETC |
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x9 SRAM | |
HM1-65779N-2 | ETC |
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x9 SRAM | |
HM1-65779N2/883 | TEMIC |
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Memory IC, | |
HM1-65779N-8 | ETC |
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x9 SRAM | |
HM165787E-5 | ETC |
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x1 SRAM | |
HM165787E-5:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 15ns, CMOS, CDIP22, | |
HM165787F-2 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |