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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.85 |
| 最长访问时间： | 120 ns | JESD-30 代码： | R-CDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1-6116-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-6116B-2 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
|
| HM1-6116B-5 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
|
| HM1-6116B-6 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
|
| HM1-6116B9 | TEMIC |
获取价格 |
Memory IC, |
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| HM1-6116B-9 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
|
| HM1-6116L-2 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24, |
|
| HM1-6116L2/883 | TEMIC |
获取价格 |
Memory IC, |
|
| HM1-6116L-5 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24, |
|
| HM1-6116L-6 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
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