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HM0-65798N-9+

更新时间: 2024-11-25 19:59:11
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 388K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS,

HM0-65798N-9+ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX4
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIALBase Number Matches:1

HM0-65798N-9+ 数据手册

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