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HM0-65768F-5+

更新时间: 2024-02-06 09:21:25
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 245K
描述
x4 SRAM

HM0-65768F-5+ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMON内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX4
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
Base Number Matches:1

HM0-65768F-5+ 数据手册

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