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HM0-65664C-2

更新时间: 2024-02-29 18:55:47
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 563K
描述
x8 SRAM

HM0-65664C-2 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:MILITARY
Base Number Matches:1

HM0-65664C-2 数据手册

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