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HI5731BIB

更新时间： 2024-01-25 12:56:30
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 转换器光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
15页 372K
描述
12-Bit, 100 MSPS, High Speed D/A Converter

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HI5731BIB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：28
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：N最大模拟输出电压：
最小模拟输出电压：-1.25 V转换器类型：D/A CONVERTER
输入位码：BINARY输入格式：PARALLEL, WORD
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e3
长度：37.4 mm最大线性误差 (EL)：0.0366%
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE标称负供电电压：-5.2 V
位数：12功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：6.35 mm
标称安定时间 (tstl)：0.02 µs标称供电电压：5 V
表面贴装：NO技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

HI5731BIB 数据手册

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HI5731  
Electrical Specifications AV , DV = -4.94 to -5.46V, V = +4.75 to +5.25V, V = Internal  
REF  
EE  
EE  
CC  
o
T = 25 C for All Typical Values (Continued)  
A
HI5731BI  
= -40 C TO 85 C  
o
o
T
A
PARAMETER  
Internal Reference Load Regulation  
Input Impedance at REF OUT pin  
Amplifier Large Signal Bandwidth (0.6V  
Amplifier Small Signal Bandwidth (0.1V  
Reference Input Impedance  
TEST CONDITIONS  
= -125µA  
MIN  
TYP  
50  
MAX  
UNITS  
µV  
I
= 0 to I  
REF  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
REF  
(Note 3)  
1.4  
3
kΩ  
)
Sine Wave Input, to Slew Rate Limited (Note 3)  
Sine Wave Input, to -3dB Loss (Note 3)  
(Note 3)  
MHz  
MHz  
kΩ  
P-P  
)
10  
P-P  
12  
Reference Input Multiplying Bandwidth (CTL IN)  
R
= 50Ω, 100mV Sine Wave, to -3dB Loss at I  
200  
MHz  
L
OUT  
(Note 3)  
DIGITAL INPUTS (D9-D0, CLK, INVERT)  
Input Logic High Voltage, V  
IH  
(Note 4)  
(Note 4)  
(Note 4)  
(Note 4)  
(Note 3)  
2.0  
-
-
V
Input Logic Low Voltage, V  
IL  
-
-
-
-
-
-
0.8  
400  
700  
-
V
Input Logic Current, I  
Input Logic Current, I  
µA  
µA  
pF  
IH  
IL  
-
Digital Input Capacitance, C  
IN  
3.0  
TIMING CHARACTERISTICS  
Data Setup Time, t  
See Figure 1 (Note 3)  
See Figure 1 (Note 3)  
See Figure 1 (Note 3)  
See Figure 1 (Note 3)  
3.0  
0.5  
-
2.0  
0.25  
4.5  
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
SU  
Data Hold Time, t  
HLD  
Propagation Delay Time, t  
PD  
CLK Pulse Width, t , t  
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS  
3.0  
PW1 PW2  
I
I
I
(Note 4)  
(Note 4)  
(Note 4)  
(Note 4)  
-
-
-
-
-
42  
70  
13  
650  
5
50  
85  
20  
-
mA  
mA  
EEA  
EED  
CCD  
mA  
Power Dissipation  
Power Supply Rejection Ratio  
NOTES:  
mW  
µA/V  
V
±5%, V ±5%  
EE  
-
CC  
2. Gain Error measured as the error in the ratio between the full scale output current and the current through R  
ratio should be 16.  
(typically 1.28mA). Ideally the  
SET  
3. Parameter guaranteed by design or characterization and not production tested.  
o
4. All devices are 100% tested at 25 C. 100% production tested at temperature extremes for military temperature devices, sample tested for  
industrial temperature devices.  
5. Dynamic Range must be limited to a 1V swing within the compliance range.  
Timing Diagrams  
50%  
CLK  
1
GLITCH AREA =  
/ (H x W)  
2
V
D11-D0  
HEIGHT (H)  
1
± / LSB ERROR BAND  
2
I
OUT  
t(ps)  
WIDTH (W)  
t
SETT  
t
PD  
FIGURE 1. FULL SCALE SETTLING TIME DIAGRAM  
FIGURE 2. PEAK GLITCH AREA (SINGLET) MEASUREMENT  
METHOD  
3-4  
1234567...15

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