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HGD065NE4A

更新时间： 2024-03-03 10:10:27

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TO-252(或DPAK)

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HGD065NE4A 数据手册

HGD065NE4A

○

100

Note:

1.V_DS=5V

2.250us Pulse Test

Tj=150℃

Tj=25℃

0.1

0.01

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.5

2.5

3.5

V_SD，Source-to-Drain Voltage[V]

V_GS,Gate-to-Source Voltage[V]

Figure 7 Typical Body Diode Transfer

Characteristics

Figure 6 Typical Transfer Characteristics

9.0

1.8

1.6

1.4

1.2

PULSED TEST

T = 25℃

PULSED TEST

I_D= 19A

VGS=10V

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

V_GS= 4.5V

VGS=4.5V

0.8

0.6

0.4

0.2

V_GS= 10V

-50

100

150

I_D,Drain Current,A

T_J,Junction Temperature(℃)

Figure 9. Normalized On Resistance vs

Junction Temperature

Figure 8. Drain-to-Source On Resistance vs

Drain Current

1.3

1.06

V_GS= V_DS

I_D= 250μA

1.05

1.04

1.03

1.02

1.01

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.99

0.98

0.97

0.96

-50

100

150

-50

100

150

T_J,Junction Temperature(℃)

Figure10. Normalized Threshold Voltage vs

Junction Temperature

Figure 11. Normalized Breakdown Voltage vs

Junction Temperature

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD.

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2019V01

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