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HGD065NE4A

更新时间： 2024-03-03 10:10:27

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描述
TO-252(或DPAK)

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HGD065NE4A 数据手册

HGD065NE4A

○

Electrical Characteristics（Tj= 25℃ unless otherwise specified）：

OFF Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

V_DSS

Units

Min.

Max.

V_GS=0V, I_D=250µA

Drain to Source Breakdown Voltage

V_DS= 45V, V_GS= 0V,

Tj = 25℃

V_DS=36V, V_GS= 0V,

Tj = 125℃

Drain to Source Leakage Current

I_DSS

µA

100

-100

V_GS=18V

Gate to Source Forward Leakage

Gate to Source Reverse Leakage

I_GSS(F)

I_GSS(R)

V_GS=-18V

ON Characteristics

Rating

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min. Typ. Max.

V_GS=10V,I_D=19A

5.2

7.8

1.8

6.5

9.8

2.5

mΩ

Drain-to-Source On-Resistance

Gate Threshold Voltage

R_DS(ON)

V_GS(TH)

V_GS=4.5V,I_D=19A

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

1.0

Pulse width tp≤300µs,δ≤2%

Dynamic Characteristics

Rating

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min. Typ. Max.

V_GS=0V, V_DS=0V, f=1MHz

Gate resistance

R_g

Ω

1155.6

493

Input Capacitance

C_iss

C_oss

C_rss

V_GS= 0V V_DS=25V

f = 1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Resistive Switching Characteristics

Rating

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min. Typ. Max.

Turn-on Delay Time

Rise Time

t_d(ON)

t_d(OFF)

t_f

10.4

V_DD=25 V, I_D= 19A,

V_G=10 V R_G= 3Ω

Turn-Off Delay Time

Fall Time

30.8

6.4

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain (“Miller”)Charge

Q_g

V_GS=10V,V_DD=25V,

I_D=19A

Q_gs

Q_gd

3.2

6.7

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 2 of 7

2019V01

123 4 5 6 7...10

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