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HFU1N80

更新时间： 2022-12-18 01:17:27

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描述
800V N-Channel MOSFET

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HFU1N80 数据手册

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April 2006

BV_DSS= 800 V

R_{DS(on) typ}= 13 Ω

HFD1N80 / HFU1N80

800V N-Channel MOSFET

I_D= 1.0 A

D-PAK

I-PAK

2

FEATURES

1

1

3

2

3

³HFU1N80

 Originative New Design

HFD1N80

 Superior Avalanche Rugged Technology

 Robust Gate Oxide Technology

 Very Low Intrinsic Capacitances

 Excellent Switching Characteristics

 Unrivalled Gate Charge : 7.5 nC (Typ.)

 Extended Safe Operating Area

 Lower R_DS(ON): 13 Ω (Typ.) @V_GS=10V

 100% Avalanche Tested

1.Gate 2. Drain 3. Source

D

G

S

Absolute Maximum Ratings

T_C=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

V

V_DSS

Drain-Source Voltage

Drain Current

800

1.0

I_D

– Continuous (T_C= 25℃)

– Continuous (T_C= 100℃)

A

Drain Current

0.63

4.0

A

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Drain Current

– Pulsed

(Note 1)

A

Gate-Source Voltage

±30

90

V

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

(Note 2)

(Note 1)

(Note 1)

(Note 3)

mJ

A

1.0

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

4.5

mJ

V/ns

4.0

Power Dissipation (T_A= 25℃) *

Power Dissipation (T_C= 25℃)

2.5

45

W

W

- Derate above 25℃

Operating and Storage Temperature Range

0.36

W/℃

℃

T_J, T_STG

T_L

-55 to +150

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8” from case for 5 seconds

300

℃

Thermal Resistance Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case

--

--

--

2.78

Junction-to-Ambient*

Junction-to-Ambient

50

℃/W

110

R_θJA

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)

◎ SEMIHOW REV.A0,April 2006

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HFU220	VISHAY	Ceramic High Voltage Disc Capacitors, Class 1	获取价格
HFU220KBFEF0KR	VISHAY	CAP CER 22PF 6KV N750 RADIAL	获取价格
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