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HFM302 PDF预览

HFM302

更新时间： 2024-02-28 08:47:02
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管光电二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
Ultra fast recovery type

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HFM302 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AB
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.67
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：0.3 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
反向测试电压：100 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HFM302 数据手册

 浏览型号HFM302的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Silicon Rectifier  
Formosa MS  
HFM301 THRU HFM307  
Ultra fast recovery type  
Features  
SMC  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame  
RetardantEpoxy Molding Compound.  
0.276(7.0)  
0.260(6.6)  
0.012(0.3) Typ.  
For surface mounted applications.  
0.152(3.8)  
0.144(3.6)  
0.189(4.8)  
0.173(4.4)  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.244(6.2)  
0.228(5.8)  
Low leakage current.  
0.087(2.2)  
0.071(1.8)  
0.032(0.8) Typ.  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
Mechanical data  
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AB  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Polarity : Indicated by cathode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.00585 ounce, 0.195 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
3.0  
UNIT  
A
o
Ambient temperature = 55 C  
Forward rectified current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
100  
A
o
VR = VRRM TA = 25 C  
10.0  
300  
uA  
uA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 100 C  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
Rq  
15  
70  
C / w  
pF  
JA  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
CJ  
o
TSTG  
-55  
+150  
C
Operating  
*1  
*2  
*3  
*4  
*5  
MARKING  
SYMBOLS  
VRRM  
VRMS  
VR  
VF  
TRR  
temperature  
CODE  
o
( C)  
(V)  
(V)  
(V)  
(V)  
(nS)  
HFM301  
HFM302  
HFM303  
HFM304  
HFM305  
HFM306  
HFM307  
H31  
H32  
H33  
H34  
H35  
H36  
H37  
50  
35  
50  
1.0  
100  
200  
300  
400  
600  
800  
70  
100  
200  
300  
400  
600  
800  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
50  
140  
210  
280  
420  
560  
-55 to +150  
1.3  
*3 Continuous reverse voltage  
*4 Maximum forward voltage  
*5 Reverse recovery time  
1.7  
70  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode,
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 		Rectifier Diode,
HFM302L-W RECTRON

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 		Rectifier Diode,
HFM302-W RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, P

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