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HER508

更新时间： 2024-01-13 22:34:35
品牌 Logo 应用领域
森美特 - SUNMATE 二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 299K
描述
5A plug-in fast recovery diode 1000V DO-201 series

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HER508 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.24
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

HER508 数据手册

 浏览型号HER508的Datasheet PDF文件第2页 
HER501 - HER508  
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V  
CURRENT: 5.0 A  
Features  
!
Diffused Junction  
!
!
!
!
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
A
B
A
High Surge Current Capability  
C
D
Mechanical Data  
!
!
Case: DO-201AD, Molded Plastic  
DO-201AD  
Min  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 1.2 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Dim  
A
Max  
—
!
!
!
!
25.40  
8.50  
B
9.53  
1.06  
5.21  
C
0.96  
Marking: Type Number  
D
4.80  
All Dimensions in mm  
@TA=25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
HER  
501  
HER  
502  
HER  
503  
HER  
504  
HER  
505  
HER  
506  
HER  
507  
HER  
508  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
100  
1000  
IF(AV)  
5.0  
A
0.375"(9.5mm) Lead Length  
Ta = 55 °C  
Maximum Peak Forward Surge Current,  
8.3ms Single half sine wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
200  
A
Maximum Forward Voltage at IF = 5.0 A  
VF  
IR  
1.1  
50  
1.7  
75  
V
10  
50  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Ta = 25 °C  
Ta = 100 °C  
mA  
mA  
ns  
pf  
IR(H)  
Trr  
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )  
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )  
Junction Temperature Range  
CJ  
50  
TJ  
- 65 to + 150  
- 65 to + 150  
°C  
°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Notes :  
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.  
( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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