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HER307GB-G

更新时间： 2024-01-21 00:45:38
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管高效整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 81K
描述
High Efficiency Rectifiers

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HER307GB-G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HER307GB-G 数据手册

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High Efficiency Rectifiers  
HER301G-G Thru. HER308G-G  
Voltage: 50 to 1000 V  
Current: 3.0 A  
RoHS Device  
DO-27  
Features  
-Glass passivated chip.  
-Low forward voltage.  
-High reliability.  
1.000(25.40) Min.  
-High surge current capability.  
-High speed switching.  
0.375(9.53)  
0.285(7.24)  
Mechanical data  
0.209(5.30) DIA.  
0.189(4.79) DIA.  
-Case: JEDEC DO-27 molded plastic.  
-Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant.  
-Polarity: Color band denotes cathode end.  
-Lead: Solderable per MIL-STD-202,  
method 208 guaranteed.  
1.000(25.40) Min.  
0.051(1.30) DIA.  
0.047(1.19) DIA.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Mounting position: Any  
-Weight: 0.844 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
Symbol  
Parameter  
Unit  
301G-G 302G-G 303G-G 304G-G 305G-G 306G-G 307G-G 308G-G  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
@IT = 5μA  
V
RRM  
RMS  
50  
100  
200  
300  
400  
600  
800  
1000  
V
Maximum RMS voltage  
V
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
700  
V
V
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
V
DC  
100  
1000  
I(AV)  
3.0  
5.0  
A
V
@T =25°C  
A
Maximum instantaneous forward  
voltage at specified current  
V
F
1.0  
1.3  
1.7  
μA  
ns  
°C  
°C  
Maximum DC reverse current  
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
I
R
t
rr  
50  
75  
T
J
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
T
STG  
NOTES:  
1. Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A(RGI circuit)  
REV:A  
Page 1  
QW-BU012  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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