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HER253

更新时间： 2024-11-15 22:40:47
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EIC 整流二极管高效整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
HIGH EFFICIENT RECTIFIER DIODES

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HER253 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：2.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

HER253 数据手册

 浏览型号HER253的Datasheet PDF文件第2页 
HIGH EFFICIENT  
RECTIFIER DIODES  
HER251 - HER258  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 2.5 Amperes  
D2A  
FEATURES :  
1.00 (25.4)  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
0.161 (4.1)  
MIN.  
0.154 (3.9)  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Fast switching for high efficiency  
0.284 (7.2)  
0.268 (6.8)  
1.00 (25.4)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : D2A Molded plastic  
0.040 (1.02)  
0.0385 (0.98)  
MIN.  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guaranteed  
* Polarity : Color band denotes cathode end  
* Mounting position : Any  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 0.645 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
°
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
HER HER HER HER HER HER HER HER  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
251  
252  
100  
70  
253  
200  
140  
200  
254  
300  
210  
300  
255  
400  
280  
400  
256  
600  
420  
600  
257  
800 1000  
560 700  
258  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
V
V
V
35  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
50  
100  
800 1000  
IF(AV)  
2.5  
A
0.375"(9.5mm) Lead Length  
Ta = 55 °C  
Maximum Peak Forward Surge Current,  
8.3ms Single half sine wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
100  
A
Maximum Peak Forward Voltage at IF = 2.5 A  
VF  
IR  
1.1  
50  
1.7  
75  
V
10  
50  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Ta = 25 °C  
mA  
mA  
ns  
pf  
IR(H)  
Trr  
Ta = 100 °C  
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )  
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )  
Junction Temperature Range  
CJ  
50  
TJ  
- 65 to + 150  
- 65 to + 150  
°C  
°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Notes :  
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.  
( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC  
Page 1 of 2  
Rev. 01 : April 2, 2002  
12

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