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HEF4073BF

更新时间： 2024-02-20 08:53:57

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恩智浦 - NXP		/
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4页	31K
描述
Triple 3-input AND gate

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HEF4073BF 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	14
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.13	系列：	4000/14000/40000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G14	JESD-609代码：	e4
长度：	8.65 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	AND GATE	功能数量：	3
输入次数：	3	端子数量：	14
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
传播延迟（tpd）：	110 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	15 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

HEF4073BF 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

HEF4073B

gates

Triple 3-input AND gate

AC CHARACTERISTICS

V_SS= 0 V; T_amb= 25 °C; C_L= 50 pF; input transition times ≤ 20 ns

V_DD

TYPICAL EXTRAPOLATION

FORMULA

SYMBOL

TYP.

MAX.

Propagation delays

I_n→ O_n

HIGH to LOW

110

23 ns

14 ns

12 ns

13 ns

9 ns

(0,55 ns/pF) C_L

(0,23 ns/pF) C_L

(0,16 ns/pF) C_L

(0,55 ns/pF) C_L

(0,23 ns/pF) C_L

(0,16 ns/pF) C_L

(1,0 ns/pF) C_L

(0,42 ns/pF) C_L

(0,28 ns/pF) C_L

(1,0 ns/pF) C_L

(0,42 ns/pF) C_L

(0,28 ns/pF) C_L

t_PHL

LOW to HIGH

t_PLH

t_THL

t_TLH

7 ns

Output transition times

HIGH to LOW

120

10 ns

9 ns

6 ns

120

10 ns

9 ns

LOW to HIGH

6 ns

V_DD

TYPICAL FORMULA FOR P (µW)

Dynamic power

dissipation per

package (P)

600 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

where

2700 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

f_i= input freq. (MHz)

8400 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

f_o= output freq. (MHz)

C_L= load capacitance (pF)

∑ (f_oC_L) = sum of outputs

V_DD= supply voltage (V)

January 1995

1 234

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