HE8812SG

更新时间： 2024-02-18 18:03:44

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		半导体红外LED 光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
GaAlAs Infrared Emitting Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HE8812SG 技术参数

HE8812SG

GaAlAs Infrared Emitting Diode

ODE-208-1000A (Z)

Rev.1

Jan. 2003

Description

The HE8812SG is a GaAlAs double heterojunction structure 870 nm band light emitting diode. It is

suitable for use as the light source in a wide range of optical control and sensing equipment.

Features

•

High efficiency and high output power

Package Type

• HE8812: SG1

Internal Circuit

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HE8813VG	HITACHI	获取价格	Infrared LED, 4mm, 1-Element, 880nm
HE8815VG	HITACHI	获取价格	Infrared LED, 4mm, 1-Element, 880nm
HE882	BOWEI	获取价格	Broadband VCO
HE883	BOWEI	获取价格	Broadband VCO
HE884	BOWEI	获取价格	Broadband VCO
HE891A	BOWEI	获取价格	Voltage Variable Attenuators
HE891B	BOWEI	获取价格	Voltage Variable Attenuators
HE892	BOWEI	获取价格	Voltage Variable Attenuators
HE893	BOWEI	获取价格	Voltage Variable Attenuators
HE89410	KB	获取价格	8-BIT MICRO-CONTROLLER