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HD3A-4D

更新时间： 2024-11-28 22:29:07

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描述
SOT 23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING DIODES

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HD3A-4D 数据手册

HD2A

HD3A

HD4A

SILICON PLANAR

HIGH SPEED SWITCHING DIODES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Continuous Reverse Voltage

Forward Current

V_R

I_F

100

^oc

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

330

T O T

tj:tstg

–55 to + 1 5 0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T_j= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

Breakdown Voltage

SYMBOL

MIN. MAX.

UNIT

CONDITIONS

I = 100µA

Forward Voltage

V_F

0.5

0.715

1.0

l_F= 1 m A

l_F= 1 0 m A

I_R

Reverse Current

1.0

µA

VR= 7 5 V

V R =75V, TJ= 1 2 5^oC

Total Capacitance

C_T

V R =O, f=lMHz

Reverse Recovery Time

t_rr

Typ. 6

I_F= l0mA, I_R= 10mA

I _rr= 1 mA

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