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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| 元件数量： | 1 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HD1L3N-AZ | RENESAS | on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1L3N-T1 | NEC | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| HD1L3N-T1-AY | RENESAS | PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1L3N-T1-AZ | RENESAS | on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1L3N-T2 | NEC | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| HD1L3N-T2-AY | RENESAS | PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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