Datasheet > HD1L3N

HD1L3N

更新时间： 2024-02-08 01:41:42

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	514K
描述
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HD1L3N 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1277	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HD1L3N 数据手册

HD1 SERIES

HD1A4M

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

Conditions

VCB = 60 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

−

ICBO

100

Note

h^FE1

V^CE= 2.0 V, IC = 0.1 A

V^CE= 2.0 V, IC = 0.5 A

V^CE= 2.0 V, IC = 1.0 A

V^IN= 5.0 V, IC = 0.1 A

V^CE= 5.0 V, IC = 100 μA

200

300

200

Note

h^FE2

DC current gain

−

Note

h^FE3

DC current gain

−

Note

V^OL

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

0.2

0.3

Note

V^IL

kΩ

E-to-B resistance

Note PW ≤ 350 μs, duty cycle ≤ 2 %

HD1L2Q

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

Conditions

VCB = 60 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

−

ICBO

Note

h^FE1

V^CE= 2.0 V, IC = 0.1 A

V^CE= 2.0 V, IC = 0.5 A

V^CE= 2.0 V, IC = 1.0 A

V^IN= 5.0 V, IC = 0.8 A

V^CE= 5.0 V, IC = 100 μA

200

300

200

Note

h^FE2

DC current gain

−

Note

h^FE3

DC current gain

−

Note

V^OL

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

0.5

0.3

Note

V^IL

329

470

4.7

611

6.11

E-to-B resistance

3.29

kΩ

Note PW ≤ 350 μs, duty cycle ≤ 2 %

HD1F2Q

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

Conditions

VCB = 60 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

−

ICBO

Note

h^FE1

V^CE= 2.0 V, IC = 0.1 A

V^CE= 2.0 V, IC = 0.5 A

V^CE= 2.0 V, IC = 1.0 A

V^IN= 5.0 V, IC = 0.8 A

V^CE= 5.0 V, IC = 100 μA

100

300

200

Note

h^FE2

DC current gain

−

Note

h^FE3

DC current gain

−

Note

V^OL

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

0.5

0.3

Note

V^IL

154

220

2.2

286

2.86

E-to-B resistance

1.54

kΩ

Note PW ≤ 350 μs, duty cycle ≤ 2 %

Data Sheet D16182EJ4V0DS

1 2 3 456 7 8

中文翻译

下载PDF

与HD1L3N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HD1L3N-AY	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1L3N-AZ	RENESAS	获取价格	on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
HD1L3N-T1	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
HD1L3N-T1-AY	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1L3N-T1-AZ	RENESAS	获取价格	on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
HD1L3N-T2	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
HD1L3N-T2-AY	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1L3N-T2-AZ	RENESAS	获取价格	on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
HD1P040-CSH2-10000	JAE	获取价格	Card Edge Connector
HD1P040MA1	ETC	获取价格	Board-to-Cable Connector for High-speed Transmission HD Series Connector

与HD1L3N相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HD1L3N

HD1L3N 技术参数

HD1L3N 数据手册

与HD1L3N相关器件

与HD1L3N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HD1L3N

HD1L3N 技术参数

HD1L3N 数据手册

与HD1L3N相关器件

与HD1L3N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？