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HD1F2Q-AZ

更新时间： 2024-02-19 01:30:58

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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HD1F2Q-AZ 数据手册

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HD1 SERIES

HD1A4M

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 60 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

nA

−

h^FE1**

h^FE2**

h^FE3**

V^OL**

V^IL**

R¹

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.1 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.5 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 1.0 A

V^IN= 5.0 V, I^C= 0.1 A

V^CE= 5.0 V, I^C= 100 µA

200

300

200

−

DC current gain

−

DC current gain

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

0.2

0.3

13

V

V

kΩ

kΩ

7

7

10

10

E-to-B resistance

R²

13

** PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

HD1L2Q

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 60 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

nA

−

h^FE1**

h^FE2**

h^FE3**

V^OL**

V^IL**

R¹

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.1 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.5 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 1.0 A

V^IN= 5.0 V, I^C= 0.8 A

V^CE= 5.0 V, I^C= 100 µA

200

300

200

−

DC current gain

−

DC current gain

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

0.5

0.3

V

V

Ω

329

470

4.7

611

6.11

kΩ

E-to-B resistance

R²

3.29

** PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

HD1F2Q

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 60 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

nA

−

h^FE1**

h^FE2**

h^FE3**

V^OL**

V^IL**

R¹

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.1 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.5 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 1.0 A

V^IN= 5.0 V, I^C= 0.8 A

V^CE= 5.0 V, I^C= 100 µA

100

300

200

−

DC current gain

−

DC current gain

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

0.5

0.3

V

V

Ω

154

220

2.2

286

2.86

kΩ

E-to-B resistance

R²

1.54

** PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

3

Data Sheet D16182EJ2V0DS

1 234 5 6

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与HD1F2Q-AZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HD1F2Q-T1-AZ	RENESAS	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89	获取价格
HD1F2Q-T2-AZ	RENESAS	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89	获取价格
HD1F3P	NEC	on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching	获取价格
HD1F3P	RENESAS	1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN	获取价格
HD1F3P-AY	RENESAS	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89	获取价格
HD1F3P-AZ	NEC	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3	获取价格

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